طراحی نانو ترانزیستور تک الکترونی در دمای اتاق

پایان نامه
چکیده

در این پایان نامه، قصد داریم ترانزیستورهای تک الکترونی مبتنی برنقطه ی کوانتومی سیلیکونی (جزیره-ی نیمه هادی) و قابل استفاده در دمای اتاق را مدل سازی کنیم. که در این راستا، اثرکوانتیده شدن سطوح انرژی مربوط به جزیره نیمه هادی (نقطه کوانتومی) دراثرکوچک بودن اندازه جزیره(کوچکتراز10نانومتر) وهم چنین اثر پهن شدگی این سطوح انرژی دراثرکوپل نقطه ی کوانتومی با کنتاکت های فلزی را بر اجرای این ترانزیستور مورد بررسی قرارمی دهیم. با حل معادله شرودینگربرای ساختارنقطه کوانتومی کروی ازجنس سیلیکون، سطوح انرژی و توابع موج مربوط به این سطوح را بدست می آوریم. سپس با در نظر گرفتن اثر پهن شدگی متفاوت برای هر سطح انرژی نشان می دهیم که نرخ جریان تونل زنی برای هر سطح انرژی متفاوت است. هم چنین برای بدست آوردن این تفاوت درمیزان نرخ تونل زنی، عبارتی را برای نرخ تونل زنی در رژیم انسداد کولنی کوانتومی بدست می آوریم وبرمبنای آن مشخصات رسانایی مربوط به این ترانزیستور را برای نوسانات کولنی در ولتاژ های بایاس اعمالی متفاوت و هم-چنین در دماهای مختلف شبیه سازی کرده و مورد بحث قرار می دهیم.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

طراحی و مدل سازی مبدل های آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق به کمک نانوترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره کوانتوم نقطه ای نیمه هادی

In this article, the design and modeling details of room-temperature analog-to-digital converter (ADC) based on silicon quantum-dot (QD) single-electron transistors (SETs) is presented. In contrast to the conventional metal quantum dots, the use of silicon QDs in the scales of few nano-meters enhances the device operation and makes stable the Coulomb blockade and Coulomb oscillation regimes at ...

متن کامل

طراحی و شبیه سازی آشکارساز تراهرتز در دمای اتاق با استفاده از ترانزیستور گرافنی

در فیزیک، بازه فرکانسی تراهرتز به عنوان گسیل های الکترومغناطیسی شناخته می¬شوند که فرکانس انتشار آنها بین 1011 هرتز تا 1013 هرتز باشد. که محدوده بین ماکروویو و فروسرخ را در بر می¬گیرد. آشکارسازهای تراهرتز در اواخر قرن بیستم با استفاده از خواص کوانتومی مواد نیمه هادی ساخته شدند. تحقق لایه های گرافنی و گرافن دو لایه یک چشم انداز نوین در طراحی آشکارسازهای جدید ایجاد کرد. بیشترین برتری استفاده از گر...

15 صفحه اول

شبیه سازی ترانزیستور تک الکترونی به روش مونت کارلو

روند رو به پیشرفت تکنولوژی در کوچک سازی ترانزیستورها تا جایی ادامه پیدا نمود که نسل جدیدی از ترانزیستورها که به آنها ترانزیستورهای تک الکترونی گفته می شود پدید آمدند .نسل جدید ترانزیستورها همانند ترانزیستورهای قبلی از قوانین جاری فیزیک در جابجایی الکترونها پیروی نمی نمایند. ناگزیر به بررسی اجمالی چند نمونه از قطعات تک الکترونی و پس از آن به تجزیه و تحلیل ترانزیستور تک الکترونی پرداخته و سعی در...

15 صفحه اول

طراحی و شبیه سازی مدار ضرب کننده باینری براساس ترانزیستور تک الکترون مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی قابل عملکرد در دمای اتاق

ما در این پایان نامه براساس منطق ترانزیستور تک الکترون و با استفاده از ترانزیستور تک الکترون سه گیت مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی 2 نانومتر قابل عملکرد در دمای اتاق، مداراتی را برای گیتهای منطقی buffer، not، xor، xnor، and، nand، or و nor طراحی کرده ایم و عملکرد هر یک از آنها را مورد بررسی قرار داده ایم. گیتهایی که عملکردی مکمل یکدیگر دارند، دارای ساختار مشترکی هستند و فقط مقادیر ولتاژهای بایا...

سنتز تک مرحله ای و سبز مشتقات کومارین کاتالیز شده بوسیله سریم (4) تریفلات در دمای اتاق

سریم (4) تریفلات [Ce(OTf)4] به عنوان یک کاتالیزگر برای تهیه آسان مشتقات کومارین از طرق تراکم پچمن تک مرحله ای مشتقات فنول و β- کتو استر بکار گرفته شد. مشتقات مختلف فنول و β- کتو استرها در واکنش استفاده شد. در همه آزمایشات، محصولات مورد انتظار با موفقیت سنتز شدند. روش سنتزی جدید توصیف شده از مزایای متعددی از جمله سالم بودن، شرایط ملایم، زمان های کوتاه واکنش، بهره بالا، ساده بودن و آسانی جداسازی...

متن کامل

طراحی مبدل آنالوگ به دیجیتال براساس ترانزیستور تک الکترون

در این پایان نامه، با بهره گیری از ویژگی های ترانزیستورset، ساختار جدیدی برای مبدل آنالوگ به دیجیتال مبتنی بر ساختار folding ارائه می شود و با مقایسه بین ساختار پیشنهادی و ساختارهای پیشین مشاهده می شود که فرکانس نمونه برداری بهبود یافته و از طرف دیگر تلفات توانی و تعداد اجزا به کار گرفته شده در ساختار کاهش چشم گیری داشته است. البته با به کار گیری مدار ترکیبی set/cmos در ساختار پیشنهادی شاهد بهت...

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023